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Descripción general

El SDP8475 es un fototransistor de silicio NPN con resistencia de derivación base-emisor interna. El moldeo por transferencia de este dispositivo en un encapsulado plástico claro T-1 garantiza un rendimiento óptico superior de la línea central en comparación con otros procesos de moldeo. Las longitudes de los hilos están escalonadas para brindar un método simple de identificación de polaridad.
Fototransistores de reflexión de poca luz SDP8475-201 - Honeywell

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TÍTULO TIPO DE DOCUMENTO IDIOMA TAMAÑO
Información del catálogo de fototransistores de reflexión de poca luz Serie SDP8475201 Información del catálogo Inglés 405KB
Guía de la línea de sensores de luz infrarroja Guía de línea de productos Inglés 1MB

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Producto Material del encapsulado Respuesta angular (grado) Disipación de potencia
SDP8475-201 Plástico 20 70 mW

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